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研究生入学考试《半导体物理》考试大纲
一、考查目标
掌握半导体的晶格结构和电子状态、杂质和缺陷能级、载流子的统计分布、 载流子的散射及电导问题、非平衡载流子的产生、复合及其运动规律、pn 结、 金属和半导体接触,对半导体中的各种基本物理现象有全面正确的概念,为后续 研究工作的开展、理解各种半导体器件、集成电路的工作机理打下良好的基础。
二、知识点解析
1. 半导体中的电子状态
掌握半导体的定义、分类以及半导体电阻率的影响因素;掌握原子中电子的 描述方法和晶体中能带的形成过程;掌握半导体、导体、绝缘体的能带结构及特 点;掌握半导体中电子的运动状态;掌握半导体、金属、绝缘体在导电过程中的 差别。
2. 半导体中杂质和缺陷能级
掌握施主杂质、施主能级、受主杂质、受主能级、 n 型半导体、p 型半导体、 浅能级杂质、深能级杂质的定义;掌握杂质能级的补偿作用;掌握点缺陷的类型; 掌握点缺陷对半导体性质的影响。
3. 半导体中载流子的统计分布
掌握导带底和价带顶的状态密度曲线及其特点;掌握费米能级的影响因素及 意义;掌握费米分布函数与波尔兹曼分布函数的区别;掌握导带中的电子绝大多 数电子分布在导带底,价带中绝大多数空穴位于价带顶的原因;掌握半导体载流 子浓度乘积的特点;掌握本征半导体费米能级的位置;掌握本征半导体载流子浓 度的影响因素;掌握杂质半导体费米能级的位置及其随着掺杂浓度与温度的变化 规律;掌握简并半导体与非简并半导体的区别。
4. 半导体的导电性
掌握漂移运动的定义;掌握半导体迁移率、电导率、电阻率、电流密度之间 的关系;掌握载流子散射的定义、散射发生的原因; 掌握硅、锗、砷化镓半导体 中主要的散射类型;掌握迁移率和电阻率随杂质浓度和温度的变化规律。
5. 非平衡载流子
掌握非平衡载流子的产生和复合的定义;掌握小注入的条件;掌握非平衡载 流子寿命的定义;掌握准费米能级的定义;掌握复合的分类;掌握陷阱的定义; 掌握载流子扩散和漂移的表征参数以及二者之间的关系。
6. pn 结
掌握 pn 结的定义及其能带图;掌握理想 pn 结模型;掌握影响 pn 结电流电 压特性偏离理想方程的各种因素;掌握 pn 结的击穿类型。
7. 金属和半导体接触
掌握金属和半导体功函数的定义;掌握金属半导体接触时,形成阻挡层和反 阻挡层的条件;掌握金属功函数对表面势垒的影响;掌握金属和半导体接触时的 接触类型。
三、教材选择
《半导体物理学》(第七版)(刘恩科,朱秉升,罗晋生编著,电子工业出版 社出版)是我院考研教材。
考试分值为 100 分,考试时间为 60 分钟。
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